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南韓記憶體大廠三星電子今日宣布，正式量產業界領先的商用HBM4產品，並完成業界首次出貨，在全球HBM4市場奠定領導地位。
三星憑藉其最先進的第六代10奈米級DRAM製程（1c），量產之初即實現穩定良率與業界頂尖效能，無需額外重新設計即順利完成。
三星電子執行副總裁暨記憶體開發負責人Sang Joon Hwang表示：「有別於傳統採用既有驗證設計的路徑，三星引領創新，在HBM4上採用了1c DRAM和4奈米邏輯製程等最先進節點。憑藉製程競爭力與設計最佳化能力，我們確保充足的效能空間，在客戶需要時，就能滿足其不斷提升的高效能需求。」
三星表示，首款出貨的HBM4提供穩定的11.7Gbps的處理速度，相較業界標準8Gbps提升約46%，為HBM4效能樹立了全新基準。相較於前代產品HBM3E的最高針腳速度9.6Gbps，HBM4提升約1.22倍，還可進一步提升至13Gbps，有效紓解隨AI模型規模持續擴大所帶來的資料瓶頸問題。單一堆疊的總記憶體頻寬也較前代增加2.7倍，最高達到每秒3.3TB（TB/s）。
三星HBM4採用12層堆疊技術，提供24GB至36GB容量。透過運用16層堆疊，容量選項可擴充至48GB，以配合客戶的時程需求。
為了應對資料I/O數量從1,024個增加至2,048個所帶來的功耗與散熱挑戰，三星在核心裸晶（core die）中整合了先進的低功耗設計解決方案。透過運用低電壓直通矽晶穿孔（TSV）技術與電源分佈網路（PDN）最佳化，HBM4相較於與HBM3E，在功耗效率提升了40%，熱阻改善10%，散熱效果提高30%。
三星強調，憑藉卓越效能、出色能源效率與產品可靠性，全新的HBM4專為未來的資料中心環境所打造，協助客戶最大化GPU吞吐量，並有效優化整體擁有成本（TCO）。
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