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美商應材發布電晶體與布線三項創新技術 加速 AI 晶片效能

應材公司發布環繞式閘極(GAA)電晶體與布線創新技術示意圖。圖/應材提供
應材公司發布環繞式閘極(GAA)電晶體與布線創新技術示意圖。圖/應材提供

本文共422字

聯合報 記者簡永祥/台北即時報導

美商應材公司近日推出全新的沉積、蝕刻及材料改質系統,能在2奈米及更先進節點提升尖端邏輯晶片效能。這些技術透過對最基本的電子元件——電晶體進行原子尺度改良,從而大幅提升人工智慧(AI)的運算能力。

採用環繞式閘極電晶體是半導體產業的重要轉折,也是實現更高能源效率,以支撐更強大AI晶片運算所需的關鍵技術。隨著2奈米世代環繞式閘極晶片今年邁入量產,應材同步推出全新的材料創新技術,進一步強化埃米節點的新一代環繞式閘極電晶體效能。這些全新晶片製造系統帶來的整體效益,顯著提升了環繞式閘極製程節點轉換的整體能源效率。

應材公司半導體產品事業群總裁帕布‧若傑(Prabu Raja)表示:「AI的快速發展正將運算效能推向極限,而運算技術的突破始於電晶體。為了在埃米時代持續領先,應材致力於推動材料工程突破,提升節能運算表現。這些全新系統不僅延續應材長期以來在電晶體與佈線關鍵變革領域的領導地位,同時協助客戶加速推進晶片發展藍圖,以因應AI 飛速演進的步伐。」

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