美光停產 DDR4 南亞科力拚轉虧為盈

美光傳出已向客戶發出DDR4將停產通知，使DDR4現貨價大漲後，法人機構表示，DDR4、DDR5價格已出現倒掛，DDR4再持續向上恐將有壓，但南亞科（2408）受惠三大原廠退出DDR4，報價持續向上，將力拚轉虧為盈。

分析師指出，繼韓系兩大DRAM原廠先後釋出DDR4停產時程，美光確定已向客戶發出信件通知DDR4將停產，預計未來二至三季陸續停止出貨，帶動DDR4現貨價大漲。

在原廠供應緊張、現貨管道惜售的雙重推動下，市場買氣湧現，詢單量明顯攀升。儘管終端市場對於持續走高的價格存有疑慮，承接力道略顯遲疑，但在備貨的考量下，仍陸續出手採購，促使報價再度上揚。研調機構表示，DDR4世代的生命周期已超過10 年，需求逐步由DDR5取代，加上HBM、DDR5、LPDDR5等產品的利潤率皆明顯較高，各主要供應商已規劃終止生產DDR4，最後出貨時間大約落在2026年初。

目前觀察供應商的EOL通知，均是針對Server與PC客戶，Consumer DRAM則因主流需求仍為DDR4，廠商將持續出貨DDR4顆粒產品。值得注意的是，目前DDR4和DDR5價格出現倒掛，DDR5、LPDDR5產品正進入市場價格甜蜜點，其中，通用Server在CPU支援下，將會考慮採用DDR5；DDR4價格高於DDR5，原廠有可能延後DDR4 EOL；近期DDR4大漲除原廠減產外，通路和廠商預期性提早備貨，以及炒家在其中，若下半年關稅降低需求，DDR4價格將無法再上漲。

部分消費性產品在區域刺激政策推動下需求升溫，並且受惠三大原廠退出DDR4，DDR4需求成為南亞科短期營運亮點，南亞科有8GB、16GB、32GB等多項DDR4產品規格，填補供給缺口。南亞科積極布局AI相關技術，AI記憶體應用需具備4大關鍵元素，分別是高密度先進DRAM 、3D矽穿孔製程與多晶片封裝、HBM設計能力及邏輯控制晶片。

南亞科2024年底已量產第二代16Gb DDR5，完成第一階段部署，並與福懋科（8131）、補丁科技合作推進TSV與封裝技術，建構第二與第三項關鍵能力。未來將以策略性投資與合作，建構邏輯控制IC與HBM整合能力，目標2026年底完成驗證，2027年起貢獻營收。

南亞科目前產能滿載，隨著出貨量回升、產品組合優化，加上價格改善，轉盈機會日增。不過，新台幣升值可能成為最大變數。由於公司以美元計價，匯損恐侵蝕毛利，即便部分資本支出亦以美元結算，整體仍難完全抵銷匯率衝擊。南亞科預估第3季庫存可望清除完畢，加上1B製程良率持續提升、產品組合優化，力拚第4季轉虧為盈。