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國研院攜手鼎極科技 共同開發提升碳化矽研磨新技術

本文共335字

聯合報 記者簡永祥/台北即時報導

碳化矽(SiC)為化合物半導體材料中極具潛力的一員,已取代矽晶圓,成為車用電源與驅動系統、太陽能光電變流器、充電樁與工業控制設備等核心元件的材料首選。然而,要以碳化矽製作晶圓時,「研磨」這一步驟卻遭遇困境,因為碳化矽硬度極高,傳統研磨方式在加工效率及品質良率上皆存在瓶頸。

國家實驗研究院國家儀器科技研究中心(國研院國儀中心)與鼎極科技攜手合作,共同開發「紅外線奈秒雷射應用於碳化矽晶圓研磨製程」關鍵技術。此一突破性成果成功提升碳化矽晶圓研磨速率與品質,顯著降低製程成本與材料損耗,有效回應產業界對於高效率、低損耗製程的迫切需求。

國研院訂下周二(24)日與鼎極科技,共同宣布利用開發雷射研磨技術,提升碳化矽晶圓製程產能的技術成果,為台灣布建碳化矽供應鏈,扮演關鍵推進力量。

圖為英飛凌正式交貨的8吋碳化矽晶圓。圖/英飛凌提供
圖為英飛凌正式交貨的8吋碳化矽晶圓。圖/英飛凌提供

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