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台積電A14（1.4奈米）製程據傳將不採用高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）微影工具，而是依賴較傳統的0.33數值孔徑EUV技術，優先考量成本效率而非效能。這代表就採用High-NA EUV而言，台積電如今落後英特爾等業者。
科技媒體wccftech報導，台積電資深副總裁張曉強日前在北美技術論壇上透露，台積電不會以High-NA EUV微影技術來將A14晶片圖案化，但該公司就處理步驟而言能繼續維持類似精密度。張曉強表示，台積電每一代技術都試圖把光罩增加數量降至最低，這對提供具成本效益的解決方案而言至關重要。
wccftech指出，相較於傳統EUV工具，採用High-NA EUV可能導致台積電成本最多增加1.5倍，進而大幅推升A14製程生產成本。但這絕對不代表台積電未來製程不會採用High-NA EUV，該公司計劃將High-NA EUV用於A14P製程。
由於英特爾預料最快明年推出的18A製程據傳將採用High-NA EUV，台積電做出這項決定，導致該公司採用High-NA EUV的速度落後英特爾等業者。wccftech指出，從A14P目標是2029年推出來看，台積電採用High-NA EUV的時間將至少晚同業四年，競爭對手可能取得優勢。
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