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美光擴建廣島新廠2027年量產 業者解讀重啟增產欲迎接AI爆發商機

本文共701字

聯合報 記者簡永祥/台北即時報導

日刊工業新聞報導美光科技計畫在日本廣島縣興建生產DRAM晶片的新廠,預定2026年初動工、最快2027年底投入營運。報導指出,此座新廠,並導入極紫外光(EUV)微影設備,研判將會鎖定更新一代製程的產品。記憶體業者解讀,這是美光為迎接下波半導體景氣回升榮景,重啟增產行動,迎接新一波AI爆發商機。

這也是美光在日本政府多次號召下,配合日本政府復興半導體大計及配合未來AI發展需求強大的運算記憶體需求,所做的布局。

美光原本即有2024年讓新廠投入營運的計畫,但顯然因市況不佳而有所調整。

不過,美光高層去年多與日本首相岸田文雄會面後,即感到日本推動決心,計畫在廣島導入極紫外光微影設備,生產由台日合作開發的新先進1-Gamma製程的DRAM,同時也生產生成AI用的HBM(高頻寬記憶體)。

稍早美光曾透露,美光最新的1-gamma製程,是美光第1代採用極紫外光(EUV)的製程技術,將在2025年上半年先在台中廠量產。

美光同時也計畫在廣島擴廠,並1 Gamma製程產生產最新的記憶體產品,預料將是日本第一座採用EUV設計的晶圓廠,腳步比台積電還早,日本政府也已批准多達1,920億日圓(13億美元)補貼,支持美光在廣島廠生產新一代晶片。不過美光主要用於生產自家產品,台積電則計畫在熊本興建二廠時導入,用於代工生產7奈米及6奈米邏輯晶片,預定今年建始興建,2027年底開始營運。

據報導,美光計畫投資6,000億-8,000億日圓(51億美元),新廠將於2026年初動工,同時也會導入EUV設備。業界研判將會延伸1 Gamma或下世代更新製程,同樣也會投入AI用HBM產品,以支應生成式AI、資料中心和自駕技術發展。

美光科技計畫在日本廣島縣興建生產DRAM晶片的新廠,預定2026年初動工、最快2...
美光科技計畫在日本廣島縣興建生產DRAM晶片的新廠,預定2026年初動工、最快2027年底投入營運。(路透)

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