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HBM3e 產出放量!HBM 投片量年底有望占先進製程約35%

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經濟日報 記者吳康瑋/台北即時報導

據研調機構集邦科技(TrendForce)最新研究顯示,三大原廠已開始提高先進製程的投片,繼記憶體合約價翻揚後,公司資金投入開始增加,產能提升將集中在今年下半年,預期1alpha nm(含)以上投片至年底將占DRAM總投片比重約40%。其中,HBM由於獲利表現佳,加上需求持續看增,故生產順序最優先。

不過受限於良率僅約50~60%,且晶圓面積相較DRAM產品,放大逾60%,意即所占投片比重高。以各家TSV產能來看,至年底HBM將占先進製程比重35%,其餘則用以生產LPDDR5(X)與DDR5產品。

以HBM最新發展進度來看,集邦表示,今年HBM3e將是市場主流,集中在今年下半年出貨。目前SK海力士(SK hynix)依舊是主要供應商,與美光(Micron)均採用1beta nm製程,兩家業者現已正式出貨給輝達(NVIDIA);三星(Samsung)則採用1alpha nm製程,預期今年第2季完成驗證,於年中開始交付。

預期今年DDR5、LPDDR5(X)滲透率增加 將消耗更多先進製程產能

除了HBM需求占比持續增加,PC、伺服器、智慧型手機三大應用單機搭載容量增長,故對於先進製程的消耗量也逐季提升,其中又以伺服器的容量提升最高,主要受惠於單機搭載容量1.75TB的AI伺服器所帶動。而隨著Intel、AMD新平台Sapphire Rapids、Genoa量產後,其記憶體規格僅能採用DDR5,預期今年DDR5滲透率至年底將逾50%。

與此同時,由於HBM3e出貨將集中在今年下半年,期間同屬記憶體需求旺季,DDR5與LPDDR5(X)市場預期需求也將看增。但受到2023年虧損壓力影響,原廠產能擴張計劃也較謹慎。整體而言,在HBM投片比重擴大的情況下,將使得先進製程產出有限,下半年產能配置將是供給是否充足的關鍵。

若先進製程產能擴張不足 DRAM產品恐面臨供不應求

目前新廠規畫如下,三星現有廠房2024年底產能大致滿載,新廠房P4L規劃於2025年完工,同時Line15廠區將進行製程轉換,由1Ynm轉換至1beta nm以上。SK海力士除了M16明年產能預計擴大,M15X同樣亦規劃於2025年完工,並於明年底量產。美光台灣廠區將於明年恢復至滿載,後續產能擴張將以美國廠為主,Boise廠區預期於2025年完工並陸續移機,並計劃於2026年量產。

集邦表示,儘管三大原廠的新廠將於2025年完工,但部分廠房後續的量產時程尚未有明確規劃,需依賴2024年的獲利,才得以持續擴大採購機台,此也進一步形成三大原廠堅守記憶體價格今年的漲勢。除此之外,由於NVIDIA GB200將於2025年放量,其規格為HBM3e 192/384GB,預期HBM產出將接近翻倍,且緊接各原廠將迎來HBM4研發,若投資沒有明顯擴大,因各家產能規劃皆以HBM為優先,在產能排擠的效應之下,DRAM產品恐有供應不及的可能性。

美光。記者吳康瑋/攝影
美光。記者吳康瑋/攝影

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