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美光領先完成庫存去化 法人建議應這樣操作記憶體股

本文共786字

經濟日報 記者盧宏奇/台北即時報導

美光(Micron)傳出第4季起啟動收斂DRAM工廠減產幅度,反映領先完成庫存去化,法人看好, DRAM晶圓廠可望自今年第4季至明年第2季陸續升載,推動價量齊揚,建議投資焦點,由NAND Flash轉至DRAM、且模組廠轉至晶圓廠。

南亞科(2408)28日股價上漲4.8%,收在73.5元,一根長紅棒突破近日盤整區,創波段高點,華邦電(2344)則漲3.9%,收在27.85元,終止連八根黑K,重新站回5、10日線。

投顧法人分析,第4季DRAM合約價已大致議定,約當DDR5上漲15%、DDR4上漲10%至15%、DDR3上漲10%,漲幅優於預估的5-10%,主要反映華為Mate 60新機銷售暢旺,帶動安卓陣營提前推出新機,以及南韓三星控制出貨量,個人電腦廠商回補庫存時間拉長。

此外,DRAM廠商將第4季至明年第1季伺服器DRAM投片調整為行動及個人電腦DRAM投片,緩解供給壓力,以及網路攝影機、網通等利基型應用廠商因應漲價預期,啟動記憶體庫存回補,亦為關鍵。

DRAM現貨價自11月起漲勢收斂,主因是大型與小型模組廠年底旺季接單分別已於8至9月、9至10月達到高峰,且通路商因應漲價預期所執行的庫存回補已大致完成。

法人表示,美光DRAM庫存已降至八周、完成庫存去化,並將DRAM工廠減產幅度自第3季的31%收斂至第4季的17%、並預計在明年第1季至第4季維持減產幅度,且三星及SK海力士減產及去庫存時間皆落後美光約一季,預計將減產幅度自第4季的18%至40%收斂達明年第1季的15%至34%,並預計明年第2季至第4季逐步收斂減產幅度。

考量終端需求預計自明年第2季起回溫,加上龍頭製造廠軍預計維持「以銷定產」的紀律性增產節奏,法人預估明年第1季至第4季期間DRAM合約價將維持漲勢;相對於庫存仍處15至18周高水準的NAND Flash工廠,尚未見到明顯的減產收斂行動。

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