卡位AI光通訊與國防雙引擎 它MBE技術築起高門檻 今年升溫明年大成長

文／張文赫

卡位AI光通訊與國防雙引擎：IET-KY

分子束磊晶(MBE) 技術築起高門檻

英特磊IET-KY（4971）為少數專注分子束磊晶(MBE)的三五族半導體廠。相較主流MOCVD製程，MBE能提供更高純度與更精密的異質結構控制，特別適用於高速光電與軍規感測元件。產品涵蓋磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)等材料，應用橫跨高速光通訊、無線通訊、國防紅外線感測與量子運算，技術門檻與客戶黏著度兼具。

AI 伺服器推升InP需求倍增

AI 資料中心從400G邁向800G、1.6T世代，高速光收發模組與PIN、APD 等光偵測元件需求急速升溫，帶動 InP磊晶片成長。公司指出，2026 年 InP 訂單量較去年翻倍，能見度「非常遠」，目前處於供不應求狀態。InP 具備高電子漂移速度、優異散熱與光電轉換效率，已成AI高速傳輸核心材料。2025 年InP營收占比約 50%，2026年可望提升至60%，在出貨放量下，整體毛利率有機會再創新高。

國防與GaSb訂單挹注高毛利

除AI光通訊外，英特磊亦承接美國空軍二期國防合約，應用於夜視與紅外線感測，相關產品多採GaSb材料，毛利率優於商規產品。2026年國防營收占比與貢獻度可望創高，形成 AI 與軍規雙動能結構，有助平衡景氣循環風險。

美國製造優勢，擴產迎接長單

公司德州二廠二期工程預計2026年完工，可容納12台新機台，強化高階InP 與硬體組件產能。受惠「美國製造」優勢，可避開潛在關稅與地緣政治風險，並就近服務北美客戶。產能擴充將對應客戶長約需求，支撐未來兩年成長曲線。

AI光傳輸材料受惠者

在高速光模組之外，英特磊亦前瞻布局矽光子與共同封裝光學(CPO)所需之磊晶技術。整體而言，英特磊正站在 AI 光通訊與國防感測交會點。InP需求翻倍、國防合約穩定挹注，加上美國擴產與高門檻 MBE 技術，形成難以複製的競爭優勢。當800G與1.6T世代加速滲透，上游磊晶供應將持續吃緊，英特磊有望在2026年迎來營收與獲利同步躍升的新成長階段。技術深化將使公司在2027年後仍具成長延續性。

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