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經濟日報 記者謝守真／綜合報導
大陸記憶體廠長鑫存儲在高頻寬記憶體（HBM）有新進展，外電報導，長鑫已開始小量生產HBM3E，並計畫明年擴產；阿里巴巴旗下晶片公司平頭哥、寒武紀等正測試其產品，最快明年採用。
美國科技媒體The Information報導，知情人士透露，多家大陸晶片設計商正測試長鑫HBM與旗下處理器配合使用，包括寒武紀及阿里巴巴旗下晶片設計公司平頭哥。若測試順利，相關公司最快可於2027年在產品中採用長鑫HBM，相關訂單也可讓長鑫累積生產經驗，為日後擴大HBM量產作準備。
截至目前，寒武紀、阿里巴巴未對此回應。報導稱，長鑫目前生產的HBM3E，可與輝達H200及Blackwell系列處理器配合使用。輝達H100採用HBM3，H200及Blackwell採用HBM3E，較新的Rubin平台則採用HBM4。
目前尚不清楚長鑫HBM3E具體規格，但長鑫8月29日發布的半年報顯示，公開產品矩陣包括已量產的DDR5、LPDDR5/5X，以及正在接受客戶驗證的LPDDR6，未披露HBM產品規格、堆疊層數、產量、良率及封裝方案。
報導稱，長鑫目前生產的HBM3E，較三星、SK海力士及美光已投入量產的HBM4落後一代。知情人士指，長鑫在HBM技術仍落後領先廠商約三年至五年，且HBM3E生產良率偏低。
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