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長鑫存儲進擊 DDR6 趕在三星、SK海力士壟斷前搶占先機

長鑫存儲。 路透
長鑫存儲。 路透

本文共638字

經濟日報 記者謝守真/綜合報導

全球記憶體大廠正加速布局下一代產品。外電報導,大陸DRAM龍頭長鑫存儲正展開DDR6相關技術布局,企圖趕在三星電子與SK海力士進一步鞏固市場壟斷地位之前,搶占先機。

業界預估,DDR6最快於2028年至2029年間邁入商業化階段。科技媒體Wccftech報導,為確保從DDR5到DDR6的過渡順暢且高效,長鑫存儲已引進新的供應商,並考慮捨棄現有用於DDR4與DDR5的「Reel-to-Reel」(捲帶式)封裝模式,導入能支援高密度金屬化重布線層(RDL)的多層設計,且封裝面積利用率更高的「面板級」製程。

DDR6將採多層設計,對封裝基板製造提出更高要求。過去DDR4與DDR5主要依賴成本較低的「Reel-to-Reel」製程,但隨電路層數增加,該製程或面臨生產效率下降及良率降低等問題,因此面板級製程被視為因應下一代記憶體需求的方案。

韓媒ETNews報導,南韓封裝基板及導線架大廠海成DS(Haesung DS)已成為長鑫存儲供應鏈的新成員,並於2026年第1季通過了長鑫存儲針對DDR5封裝基板的品質驗證。海成DS後續將導入面板級製程,協助長鑫存儲因應DDR6多層設計需求。

三星電子與SK海力士也已投入DDR6研發,長鑫存儲正處於與時間賽跑的狀態。

據報導,蘋果公司目前正在測試長鑫存儲的記憶體晶片,這一進展被認為足以激勵長鑫存儲加快DDR6的研發進程。雖然目前尚未有明確的量產時間表,但長鑫存儲在高性能記憶體領域的加速布局,已引發市場對DRAM行業格局未來變化的廣泛關注。

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