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三星電子 HBM 晶片據悉未能通過 Nvidia 測試 因有發熱和功耗問題

三星電子HBM晶片傳出未能通過Nvidia測試,主因是發熱和功耗問題。路透
三星電子HBM晶片傳出未能通過Nvidia測試,主因是發熱和功耗問題。路透

本文共466字

經濟日報 編譯季晶晶/綜合外電

三星電子最新的高頻寬記憶體(HBM)晶片因發熱和功耗問題,尚未能通過輝達(Nvidia)的測試。

路透報導,根據三位知情人士,這些問題影響到三星的HBM3晶片(這是目前AI繪圖處理器(GPU)中使用最多的第四代HBM標準),以及這家南韓科技巨擘及其競爭對手今年推向市場的第五代HBM3E晶片。

三星提供聲明給路透說,HBM是一種客製化記憶體產品,需「根據客戶需求進行優化」,並補充說,三星正透過與客戶的密切合作來優化產品。該公司拒絕就特定客戶置評。

Nvidia謝絕評論。

Nvidia在全球AI應用GPU的市占率大約是80%,滿足Nvidia的需求被視為HBM製造商未來成長的關鍵,聲譽或利潤皆然。

三位消息人士透露,三星去年開始一直努力想通過Nvidia對HBM3和HBM3E的測試。其中兩位透露,最近一次對三星8層和12層HBM3E晶片測試的失敗結果是在4月出爐。

這些問題是否易於解決,目前還不明朗。但三位消息人士說,未能達到Nvidia的要求標準,增加了業界和投資人的擔憂,三星可能在HBM方面進一步落後競爭對手SK海力士和美光科技。

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