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台積電 ADR 上漲 美光 HBM 量產帶動費半上漲

台積電。 記者吳康瑋攝影
台積電。 記者吳康瑋攝影

本文共662字

經濟日報 編譯劉忠勇/綜合外電

台積電ADR周一上漲0.9%,收在130.64美元,較台北交易溢價18.1%。美光科技開始量產用於輝達晶片的高頻寬記憶體(HBM),帶動費城半導體指數上漲1.1%。輝達(Nvidia)前兩個交易日飆漲17%,周一再攀升0.3%。

美國股市周一自歷史新高回落,上周人工智慧(AI)推動漲勢之後,市場焦點轉向聯準會(Fed)青睞的通膨指標在內的經濟數據,這些數據可能會影響Fed的降息時機。

道瓊工業指數下跌62.30點,跌幅0.2%,收在39,069.23點。標普500指數跌19.27點,跌幅0.4%,報5,069.53點;那斯達克綜合指數下跌20.57點,跌幅0.1%,報15,976.25點。

台灣加權股價指數周一上漲58.86點,收在18,948.05點,台積電(2330)漲017%收在698.00元。

個股
ADR代碼
ADR收盤(換算後)
漲跌幅(%)
台北上市股票收盤價
溢價率(%)
日月光
ASX
155.60
+0.51
141.50
+9.97
中華電
CHT
120.69
-0.68
122.00
-1.07
台積電
TSM
824.65
+0.86
698.00
+18.14
聯電
UMC
48.10
+0.79
48.00
+0.21

*匯率換算依據紐約時間下午5:30的彭博數據

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