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經濟日報 記者李孟珊／台北報導
MOSFET業者博盛半導體（7712）昨（17）日啟用建設研發中心，同時公布兩款專門應用於AI伺服器電源管理的熱插拔MOSFETs系列高效能功率元件。
博盛表示，研發中心目前建築面積916坪，尚餘土地面積約300坪，未來視需要可持持續擴充。包括恆溫恆濕RFID系統管理的現代化倉儲，以保障產品儲藏環境，增進出貨效率；以及研發測試之各種所需之機台、儀器，並內建無塵室。藉由硬體提升，協助技術開發人員的能力，滿足客戶需求，硬體投資約1億元。
博盛強調，AI運算使伺服器電源系統對安全性與可維護性的要求同步提高，新推出的AI Server專用熱插拔MOSFETs系列，針對高功率伺服器電源模組設計，具備低導通電阻、高瞬態耐壓與高速開關特性，可支援48V伺服器電源架構，整合SOA強化設計，確保在突波與短路狀況仍能穩定運作。
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